三菱開(kāi)始提供配置第7代硅片的 “T系列IGBT模塊” 樣品
導(dǎo)讀： 三菱電機(jī)株式會(huì)社計(jì)劃從6月30日開(kāi)始陸續(xù)提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模塊”樣品，共有3種封裝48個(gè)品種，適用于各種用途的工業(yè)設(shè)備。這些產(chǎn)品能夠滿(mǎn)足通用變頻器、電梯、不間斷電源（UPS）等工業(yè)設(shè)備低功耗和高可靠性的需求。
三菱電機(jī)株式會(huì)社計(jì)劃從6月30日開(kāi)始陸續(xù)提供配置第7代硅片的“T系列IGBT模塊”樣品，共有3種封裝48個(gè)品種，適用于各種用途的工業(yè)設(shè)備。這些產(chǎn)品能夠滿(mǎn)足通用變頻器、電梯、不間斷電源（UPS）等工業(yè)設(shè)備低功耗和高可靠性的需求。
本產(chǎn)品在“PCIM※1 Europe 2015”（5月19-21日于德國(guó)紐倫堡舉行），“TECHNO-FRONTIER 2015 -MOTORTECH JAPAN-”（5月20日-22日于日本幕張舉行）， “PCIM※1 Asia 2015”（6月24-26日于中國(guó)上海舉行）上展出。
※1 PCIM：Power Conversion Intelligent Motion
NX封裝焊接端子
NX封裝壓接端子
標(biāo)準(zhǔn)（std）封裝
新產(chǎn)品的特點(diǎn)
1．應(yīng)用第7代IGBT和第7代二極管，降低功率損耗
搭載采用CSTBTTM※2 結(jié)構(gòu)的第7代IGBT，降低功率損耗和EMI噪聲。
采用新背面擴(kuò)散技術(shù)的RFC二極管※3，降低功率損耗，且無(wú)階躍恢復(fù)特性（**額定電壓為1200V的產(chǎn)品）。
※2 載流子存儲(chǔ)式溝槽柵型雙極晶體管
※3 Relaxed Field of Cathode Diode：通過(guò)在陰極部分地增加P層，反向恢復(fù)時(shí)注入空穴，因而使得恢復(fù)波形變得平緩，并且能夠抑制電壓尖峰。
2．改進(jìn)封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高工業(yè)設(shè)備的可靠性
在兼容業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝的基礎(chǔ)上，改進(jìn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
通過(guò)采用絕緣和銅基板一體化的底板，并改進(jìn)內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)，提升熱循環(huán)壽命※4，降低內(nèi)部電感，從而提高系統(tǒng)裝備的可靠性。
兩種NX封裝（焊接端子型和壓接端子型），以及一種標(biāo)準(zhǔn)（std），共三個(gè)封裝類(lèi)型。
※4 較長(zhǎng)時(shí)間的底板溫度循環(huán)變化決定的模塊的壽命
發(fā)售樣品
封裝型
額定電壓
額定電流
NX 封裝
焊接端子
650V
100,150,200,300,450,600A
1200V
100,150,200,225,300,450,600,1000A
NX 封裝
壓接端子
650V
100,150,200,300,450,600A
1200V
100,150,200,225,300,450,600,1000A
標(biāo)準(zhǔn)（std）封裝
650V
100,150,200,300,400,600A
1200V
100,150,200,300,450,600A
提供樣品的目的
通用變頻器、電梯、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力和太陽(yáng)能發(fā)電、伺服驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)設(shè)備中，由于高效能源利用和延長(zhǎng)設(shè)備壽命的需求，因而對(duì)低功耗和高可靠性的要求進(jìn)一步提升。
為滿(mǎn)足各種工業(yè)用途的需求，為工業(yè)設(shè)備的低功耗和高可靠性做貢獻(xiàn)，此次，我們推出了采用*新第7代IGBT和二極管的產(chǎn)品，“T系列IGBT模塊”。我們將提供3種封裝48個(gè)品種的產(chǎn)品。
封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳情
＜NX封裝（焊接端子和壓接端子）＞
內(nèi)部電感較現(xiàn)有產(chǎn)品 降低約30％。
將樹(shù)脂絕緣和銅基板一體化，并與直接樹(shù)脂※6灌封相結(jié)合，提高熱循環(huán)壽命與功率循環(huán)壽命。
通過(guò)壓接插入而無(wú)需焊接即可連接模塊端子和PCB，能夠簡(jiǎn)便地安裝至設(shè)備中（**壓接端子封裝）。
通過(guò)樹(shù)脂灌封，能夠降低硅氧烷※9，滿(mǎn)足阻氣性等市場(chǎng)需求。
＜標(biāo)準(zhǔn)（std）封裝＞
通過(guò)改進(jìn)內(nèi)部電極結(jié)構(gòu)，使內(nèi)部電感較現(xiàn)有產(chǎn)品※10 降低約30％
通過(guò)厚銅基板技術(shù)，提高熱循環(huán)壽命※4
將陶瓷基板上的敷銅電路加厚，提升熱循環(huán)壽命，并實(shí)現(xiàn)小型封裝※11
※5 與本公司第6代IGBT模塊（CM450DX-24S）相比較
※6 經(jīng)過(guò)特別調(diào)配的環(huán)氧樹(shù)脂，調(diào)整了熱膨脹率并提高了粘附力等
※7 較短時(shí)間的溫度循環(huán)令綁定線(xiàn)溫度發(fā)生變化時(shí)的壽命
※8 與本公司第6代IGBT相比較
※9 硅膠中含有的低分子化合物
※10 與本公司第6代IGBT模塊（CM600DY-24S）相比較
※11 底板面積減少24％（以CM600DY-24S為例：80mm×110mm→62mm×108mm）
其他特點(diǎn)
PC-TIM產(chǎn)品（可選）
通過(guò)提供涂有*佳厚度PC-TIM※12的產(chǎn)品（可選），可以為客戶(hù)省去散熱硅脂的涂裝工序
※12 Phase Change Thermal Interface Material：
常溫為固態(tài)，隨著溫度上升而發(fā)生軟化的高導(dǎo)熱硅脂
主要規(guī)格
封裝型
型號(hào)
額定電壓
額定電流
內(nèi)部
封裝尺寸
NX封裝
焊接端子
CM300DX-13T
650V
300A
2in1
62×152
CM450DX-13T
450A
CM600DX-13T
600A
CM100TX-13T
100A
6in1
62×122
CM150TX-13T
150A
CM200TX-13T
200A
CM150RX-13T
150A
7in1
62×137
CM200RX-13T
200A
CM225DX-24T
1200V
225A
2in1
62×152
CM300DX-24T
300A
CM450DX-24T
450A
CM600DX-24T
600A
CM1000DX-24T
1000A
110×137
CM100TX-24T
100A
6in1
62×122
CM150TX-24T
150A
CM200TX-24T
200A
CM100RX-24T
100A
7in1
62×137
CM150RX-24T
150A
NX封裝
壓接端子
CM300DXP-13T
650V
300A
2in1
62×152
CM450DXP-13T
450A
CM600DXP-13T
600A
CM100TXP-13T
100A
6in1
62×122
CM150TXP-13T
150A
CM200TXP-13T
200A
CM150RXP-13T
150A
7in1
62×137
CM200RXP-13T
200A
CM225DXP-24T
1200V
225A
2in1
62×152
CM300DXP-24T
300A
CM450DXP-24T
450A
CM600DXP-24T
600A
CM1000DXP-24T
1000A
110×137
CM100TXP-24T
100A
6in1
62×122
CM150TXP-24T
150A
CM200TXP-24T
200A
CM100RXP-24T
100A
7in1
62×137
CM150RXP-24T
150A
標(biāo)準(zhǔn)（std）封裝
CM100DY-13T
650V
100A
2in1
34×94
CM150DY-13T
150A
CM200DY-13T
200A
CM300DY-13T
300A
48×94
CM400DY-13T
400A
CM600DY-13T
600A
62×108
CM100DY-24T
1200V
100A
2in1
34×94
CM150DY-24T
150A
CM200DY-24T
200A
48×94
CM300DY-24T
300A
CM450DY-24T
450A
62×108
W×D（mm）
