功率器件市場四處狼煙 細(xì)分領(lǐng)域競爭加劇
根據(jù)IC Insights*新的調(diào)查報告,全球分立式功率晶體管市場在2012年受到整體經(jīng)濟(jì)形勢的影響出現(xiàn)大幅下滑之后,2013年在低谷基礎(chǔ)上強(qiáng)勢反彈,至2017年,全球分立式功率晶體管市場的營收將每年以8.5%左右的速度成長。
功率器件市場之所以能夠重新步入高速發(fā)展的軌道,主要是由于在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的新產(chǎn)業(yè)政策下,迫切要求對能源的利用率實現(xiàn)進(jìn)一步的提升,功率器件作為提高能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵部件,將在當(dāng)中發(fā)揮重要的作用。但與此同時,這一變化激烈的替代能源市場讓過去一直十分穩(wěn)定的功率器件市場產(chǎn)生了動蕩。
2006~2020年全球功率器件市場趨勢(單位:百萬美元)
各細(xì)分應(yīng)用市場增長不一
三菱電機(jī)大中國區(qū)半導(dǎo)體市場總監(jiān)錢宇峰估計,功率器件市場在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績下滑后,市場正在逐漸恢復(fù)并升溫,預(yù)計到2014年整體業(yè)績可以恢復(fù)并超越2011年的歷史高峰。他指出,在中國政府2014年推行的“治污染促消費(fèi)”政策下,受益行業(yè)包括保障性安居工程、鐵路、信息技術(shù)、新能源、節(jié)能設(shè)備以及城市基礎(chǔ)設(shè)施項目。為了滿足市場需要,三菱電機(jī)持續(xù)每年投入產(chǎn)品研發(fā),降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗,*終實現(xiàn)提升性能和降低成本?,F(xiàn)階段集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合SiC產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPM以及新的IPM系列。
“變頻空調(diào)在2013年的變頻率達(dá)到30%,2014年仍有5%的遞增,同時隨著2013年6月"節(jié)能惠民政策"正式推出,以及10月變頻空調(diào)新能效標(biāo)準(zhǔn)的實施,變頻率將逐年遞增,其DIPIPM的需求也會相應(yīng)提升?!卞X宇峰指出,“三菱電機(jī)在中國市場*主要是白色家電和傳統(tǒng)工業(yè),特別是在變頻空調(diào)領(lǐng)域,目前三菱電機(jī)的DIPIPM產(chǎn)品在中國市場份額接近60%,采用壓鑄模技術(shù)生產(chǎn)的小型DIPIPM智能功率模塊,已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?!?
在傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域中,三菱電機(jī)的DIPIPM,以小型化、集成化、高性價比在市場競爭中勝出,主要用于通用變頻器、伺服、數(shù)控等馬達(dá)驅(qū)動和運(yùn)動控制領(lǐng)域,同時隨著中國的經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整,小功率產(chǎn)品的應(yīng)用,特別是機(jī)器人和工廠自動化產(chǎn)品可能每年都有30%,甚至50%的提升。
在大功率電力牽**域,錢宇峰指出*近二至三年內(nèi)中國政府仍然將維持每年7千億元的投入來發(fā)展大鐵路項目,包括高鐵、和諧號貨車、客貨兩運(yùn)車等,再加上地方政府每年投入3千億元建造地鐵,整個牽引市場的投入近1萬億元,其中約1,300億元用于采購和更新機(jī)車,所以市場前景保持樂觀。
對于新能源市場,三菱電機(jī)則持樂觀謹(jǐn)慎態(tài)度。錢宇峰解釋,政府希望引導(dǎo)太陽能市場從集中式大型電站慢慢向分布式小型電站發(fā)展,因此在年初制定了今年14GW的裝機(jī)容量目標(biāo),但半年過后效果不理想,估計*后目標(biāo)會回歸到2013年的10GW水平,市場將以大型電站(單臺1MW)分布式安裝為主;同時配合推出三電平的方案,以提高發(fā)電效率,作為今后太陽能光伏發(fā)電技術(shù)發(fā)展的前端產(chǎn)品。
在電動汽車方面,據(jù)發(fā)改委的數(shù)據(jù),在2015年將有50萬臺,到2020年達(dá)到500萬臺的量,雖然目前的業(yè)績離此目標(biāo)還很遠(yuǎn),但是相信其市場潛能是巨大的。至于風(fēng)電,他指出目前廠家更多的研發(fā)已經(jīng)從陸上風(fēng)電轉(zhuǎn)向了海上風(fēng)電,容量將從3兆瓦到6兆瓦,以HVIGBT三電平方案為主,估計未來五年總的市場容量將在500兆瓦至1GW,但和陸上風(fēng)電每年13GW到高峰期的17GW是不可同日而語的,因此市場潛力有限。
IGBT、SiC器件繼續(xù)技術(shù)演進(jìn)
IGBT是節(jié)能與新能源領(lǐng)域核心電子元器件,被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次***具代表性的產(chǎn)品。
“根據(jù)IGBT電流容量和市場需求,功率器件分成四大類,包括用于家電變頻器的小功率器件,用于工業(yè)的較大功率器件,應(yīng)用在電動汽車的中 功率器件,以及用于電力和牽引的大功率器件。今后將朝高電流密度、小型化封裝及低損耗方向前進(jìn)?!卞X宇峰指出。目前600~900V的IGBT產(chǎn)品依然是市場的主流。雖然近期有IGBT廠商正積極搶進(jìn)600V以下的低壓應(yīng)用以開創(chuàng)成長新契機(jī),但600~1200V的應(yīng)用市場依然是各大IGBT廠商競爭的焦點(diǎn),并且各大廠商更多是通過技術(shù)**、工藝**來提高競爭力,以搶占更多市場份額。
IGBT芯片始于19世紀(jì)80年代中期,30年以來,就FOM(優(yōu)點(diǎn)指數(shù))來說,今日的IGBT芯片比**代的性能提升了20倍左右,其中改良技術(shù)包括:精細(xì)化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如CSTBTTM),以及薄晶圓的開發(fā)等等。錢宇峰表示,三菱電機(jī)的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代,還將朝第8代邁進(jìn)。隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代,功耗越來越低,尺寸越來越小,從80年代中期至今,芯片尺寸只是原來的四分之一。
實際上,在**方面,各大企業(yè)從來都沒有止步。為了增強(qiáng)自己競爭力,各大企業(yè)幾乎都在不遺余力地推陳出新。已連續(xù)十年穩(wěn)居功率半導(dǎo)體市場榜首的英飛凌,在IGBT領(lǐng)域是強(qiáng)有力的競爭者之一。例如其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù),英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制業(yè)務(wù)部經(jīng)理陳子穎介紹說:“CoolMOS C7系列是技術(shù)上的一次**性飛躍,在硬開關(guān)應(yīng)用的所有標(biāo)準(zhǔn)封裝中都實現(xiàn)了全球*低RDS(on),TO-247中為19m,TO-220和D2PAK中為45m,達(dá)到同類*佳等級。C7的快速開關(guān)性能可實現(xiàn)超過100kHz的開關(guān)頻率,同時在服務(wù)器PFC等級上實現(xiàn)了鈦金級效率,提供了提高功率密度的新方法?!?
他繼續(xù)表示:“而TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)重新定義了"同類*佳IGBT"的含義,可提供無可比擬的效率性能。在要求高效率、低系統(tǒng)成本和高可靠性的應(yīng)用中,TRENCHSTOP 5是**的*佳選擇。全新TRENCHSTOP 5 IGBT極大地降低了開關(guān)和導(dǎo)通損耗—與競爭對手的IGBT相比,其系統(tǒng)效率提升了將近1%—同時具有高達(dá)650V的擊穿電壓?!?
東芝的IEGT則是在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE:Injection Enhanced)技術(shù),用于高電壓大電流級別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后,針對100kW到MW級別的超大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的應(yīng)用,開發(fā)出東芝**產(chǎn)品IEGT。IEGT通過采取“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)”實現(xiàn)了低通態(tài)電壓,使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。
東芝公司表示,IGBT系列電力電子器件具有良好的發(fā)展前景,其具有低損耗、高速開關(guān)、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點(diǎn),并采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)均流等技術(shù),使其在進(jìn)一步及擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。目前,東芝的IEGT主要應(yīng)用于新能源、太陽能、風(fēng)能、高壓直流輸電(HVDC)、牽引用特種電源等特大功率電力領(lǐng)域。隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高,IEGT的優(yōu)勢逐步得到了體現(xiàn)和認(rèn)可。現(xiàn)在國內(nèi)市場上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運(yùn)行項目。
另外,IGBT廠商還將通過把現(xiàn)在的150mm和200mm晶圓增至300mm來削減成本。功率器件的封裝技術(shù)決定其散熱性能。為了保護(hù)裸晶圓不受外界干擾,所有IGBT及IPM模塊都要封裝起來,甚至把功能集成起來,這樣使用起來更方便及**,也縮短客戶產(chǎn)品開發(fā)周期。在*新一代的封裝技術(shù)中,采用針型散熱器,結(jié)合到銅基板或鋁基板上,系統(tǒng)將更小型化。
作為功率器件中的新星,SiC仍然朝著更低功耗、更低成本的方向改善。錢宇峰表示,三菱電機(jī)已開始引入混合SiC產(chǎn)品,即IGBT芯片用傳統(tǒng)的單晶硅,續(xù)流二極管用SiC,恢復(fù)特性特別好,開關(guān)頻率高,節(jié)能效果更好。在30kHz的應(yīng)用條件下,混合SiC產(chǎn)品的功耗可以降低50%,適合應(yīng)用在醫(yī)療設(shè)備,如核磁共振和CT彩超等應(yīng)用中。
在全SiC產(chǎn)品的研發(fā)上,因為比單晶硅的價錢貴好幾倍,只能針對如日本新干線這種對產(chǎn)品要求極高,同時愿意承擔(dān)費(fèi)用的客戶設(shè)計。在研發(fā)混合SiC產(chǎn)品時,三菱電機(jī)會把價格控制在同等電流等級單晶硅產(chǎn)品的兩倍以內(nèi)。他表示,目前制約因素確實是價格,預(yù)計至少5至8年才能商品化。
總體來看,三菱電機(jī)展望功率模塊技術(shù)的發(fā)展方向,歸結(jié)為三點(diǎn):一是芯片薄,能降低功耗;二是封裝散熱性好,包括能承受更高的溫度或提升電流密度,以拓展產(chǎn)品覆蓋面;三是集成度高,如嵌入驅(qū)動電路,以提高使用可靠性。
國產(chǎn)功率器件加快發(fā)展步伐
在中國,為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺了一系列支持性的政策措施,在政府和市場的雙重推動下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正面臨著重要的發(fā)展機(jī)遇。國內(nèi)IGBT市場近年呈現(xiàn)出持續(xù)快速增長的勢頭,據(jù)不完全統(tǒng)計,至2013年末國內(nèi)IGBT功率器件的市場規(guī)模將近70億元人民幣,同比增長大約15%左右;2013年至2015年,國內(nèi)IGBT功率器件市場規(guī)模的年均復(fù)合增長率將達(dá)到18%左右。
意識到技術(shù)突破的重要性,對于國內(nèi)本土功率器件廠商來說,實現(xiàn)**產(chǎn)品的國產(chǎn)化進(jìn)程,打破國外技術(shù)的壟斷顯得尤為重要。值得一提的是,近日國內(nèi)頭個自主研發(fā)生產(chǎn)的“001號”8英寸IGBT專業(yè)芯片,在中國南車(601766,股吧)株洲所下線,并移交中國科技館收藏。據(jù)透露,這條國內(nèi)首條、世界上**條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將于今年下半年投產(chǎn),標(biāo)志著我國開始打破英飛凌、ABB、三菱電機(jī)等國外公司在**IGBT芯片技術(shù)上的壟斷,對保障國民經(jīng)濟(jì)**和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。
這條投資近15億元的8英寸IGBT生產(chǎn)線首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊,真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。從全產(chǎn)業(yè)鏈來看,IGBT及其應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈價值高達(dá)萬億元。而且,它還涉及到電子材料(比如硅片)、電工材料、陶瓷結(jié)構(gòu)件、散熱器等相關(guān)配套產(chǎn)業(yè),具有極強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)拉動作用。據(jù)初步估算,如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到國內(nèi)20%的電機(jī)中,每年可節(jié)約用電兩千億千瓦時,相當(dāng)于兩個三峽電站的年發(fā)電量。
展望未來中國功率器件市場整體發(fā)展,錢宇峰強(qiáng)調(diào)2014年以后,這個市場肯定是向上?!爸袊?jīng)濟(jì)的發(fā)展正朝消費(fèi)類型轉(zhuǎn)變,為了出行便利,帶來對高鐵和地鐵的需求。政府也大力推動節(jié)能環(huán)保,倡導(dǎo)電動車,隨著個別受歡迎車型出現(xiàn)后,相信電動汽車在中國的發(fā)展還是有希望的。在民生層面,特別是變頻家電、變頻空調(diào)的發(fā)展,仍然會給三菱電機(jī)的功率模塊帶來業(yè)務(wù)提升。對于太陽能領(lǐng)域的發(fā)展,不管產(chǎn)能過剩否,仍然會拉動內(nèi)需??偟膩碚f,功率器件會在電力牽引、變頻家電、新能源,特別是電動汽車以及機(jī)器人或運(yùn)動控制等市場有長足的發(fā)展。